標題: 可控制之單一量子點成長與其元件應用(I)
Controllable Single-Quantum-Dots Growth and Its Device Applications(I)
作者: 林聖迪
LIN SHENG DI
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
公開日期: 2007
摘要: 在此為期兩年的計畫中,我們將要進行自組式量子點之定位成長與其元件應用的相 關研究。運用本研究群首先提出並發展出來的一個方法,我們預計結合電子束微影與 分子束磊晶再成長,於預先圖樣過之平台上形成單一量子點;因為量子點的成長對於應 力場相當敏感,我們可以利用事先設計的應力分佈,來達成選擇性成長;我們的方法 與其他人的主要不同在於,量子點可成長在遠離製程接觸過的表面;在計畫執行的第 一年中,利用我們新提出的結構與程序,將可實現高品質與可定位之單一量子點成長; 我們將建立氫氣清潔法以確保再成長樣品的潔淨性,並將檢驗與最佳化形成單一量子 點的相關參數;我們將使用原子力顯微鏡,穿隧式電子顯微鏡與光學量測來分析所成 長的量子點。在第二年中,我們將研究利用單一量子點之元件應用,電驅動之單一光 子源係主要目標元件。另一方面,利用類似方法與應力引發之垂直對準效應,量子分 子與量子點晶格的成長研究也會在第二年進行。
官方說明文件#: NSC96-2221-E009-218
URI: http://hdl.handle.net/11536/102923
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1466457&docId=262974
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