標題: 無線通訊用2.4V伏特砷化鎵高電子遷移率功率電晶體(Power HEMT)研發計畫
The Development of 2.4V GaAs Power HEMT for Wireless Commumication Application
作者: 張翼
交通大學材料科學與工程系
關鍵字: 砷化鎵;功率電晶體;高電子遷移率功率電晶體;無線通訊;GaAs;Power transistor;Power HEMT;Wireless communication
公開日期: 2000
官方說明文件#: NSC89-2213-E009-047
URI: http://hdl.handle.net/11536/101992
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=525766&docId=95661
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