標題: 新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與研究
Study of Novel Nonvolatile Nanocrystal Memory on Thin Film Transistor
作者: 張俊彥
CHANG CHUN-YEN
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字: 奈米點;薄膜電晶體;非揮發性記憶體;nanocrystal;thin film transistor;nonvolatile memory
公開日期: 2009
摘要: 近年來,薄膜電晶體(TFT)與奈米點(nanocrystal)的應用技術發展受到相當大的矚目,薄膜電晶體目前廣為液晶顯示器(LCD)產業所大量使用,而奈米點則是可以運用於在非揮發性儲存記憶體上,因其可以解決傳統上利用複晶矽浮停閘(floating gate)做為載子儲存單元的非揮發性記憶體(例如,快閃記憶體)之元件微縮問題,而本計畫將兩者結合起來,並開發新穎結構的非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上,其功能可以運用在堆疊式(stacked)的積體電路晶片、軟性電子與省電的攜帶式產品上,對於SOC(System on Chip)的開發與研究提供一個新的元件結構。 複晶矽薄膜電晶體可以在低溫下成長,對於後段製程的熱預算(thermal budget)可以有效的降低,而與奈米點結合,則可以成為新結構的記憶體元件,本計畫即利用先前的薄膜電晶體與奈米點的製作成果技術相互結合來研究此元件的特性,第一年著重於大尺寸的新穎非揮發性奈米點記憶體在薄膜電晶體上的製作與基本電性驗證,利用先前的薄膜電晶體技術與各種不同的奈米點結合(Si、Ge、NiSi、W),並探討半導體與金屬這些不同材料特性會對非揮發性記憶體有何影響,第二年則進而會改變元件結構,利用多重通道與多重閘極,來研究新穎奈米點記憶體的寫入與抹除效應是否會提升其元件速度,且當元件通道結構微縮至奈米尺度時,邊角效應(corner effect)與奈米點的量子效應則會如何主導我們的薄膜電晶體的開關特性,是本計畫要釐清的重點之一。第三年則是著重於已製備完成的元件記憶體特性量測,本實驗團隊將進行記憶體的可靠度分析,不僅進行DC與AC的加壓量測複晶矽薄膜電晶體元件,並改變環境溫度探討儲存載子的活化能影響及儲存效率,對於容忍度(endurance)與保存能力(retention)也將深入測試,藉此製作一個高效能的非揮發性奈米點結合薄膜電晶體的記憶體元件,以確保有機會可以運用在SOC開發上與其他省電的產品上。
官方說明文件#: NSC96-2221-E009-202-MY3
URI: http://hdl.handle.net/11536/101292
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1730078&docId=295969
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