標題: 金屬閘極/高介電係數材料互補式金氧半場效電晶體在45到22奈米世代之應用(III)
Metal-Gate/High-K Cmosfets for 45 to 22 Nm Technology Nodes (III)
作者: 荊鳳德
CHIN ALBERT
國立交通大學電子工程學系及電子研究所
關鍵字: 高介電係數 金屬閘極 等效氧化層厚度 場效電晶體 臨界電壓;high-k dielectric;metal-gate;EOT;MOSFET;threshold voltage;Vt
公開日期: 2010
官方說明文件#: NSC99-2120-M009-002
URI: http://hdl.handle.net/11536/100666
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2149452&docId=346056
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