標題: 在矽基板整合40奈米三五族與鍺量子井場效電晶體作為低功率與高速無線之應用(II)
Integration of 40 nm III-V and Ge Quantum Well FETs on Si Substrate for Low-Power and High Speed Wireless Applications (II)
作者: 張翼
CHANG EDWARD YI
國立交通大學材料科學與工程學系(所)
關鍵字: 量子井場效電晶體;砷化銦;超低功率;數位邏輯;原子層氣相沉積;表面處理
公開日期: 2010
官方說明文件#: NSC99-2120-M009-005
URI: http://hdl.handle.net/11536/100259
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2149157&docId=346002
顯示於類別:研究計畫


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  1. 992120M009005.PDF