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2011氮化鎵元件之歐姆與蕭基接觸的銅製程材料研究陳宥綱; Chen, Yu-Kong; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer Shen; 照明與能源光電研究所
2013利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體戴谷銘; Dai ,Gu-Ming; 張翼; 張俊彥; Chang, Yi; Chang, Chun-Yen; 電子工程學系 電子研究所
2013利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體宋奕佐; Song, Yi Zuo; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer Shen; 照明與能源光電研究所
2013高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之金屬接觸製程研究張智翔; Chung, Chih-Hsiang; 施敏; 張翼; Sze, Min; Chang, Yi; 電子工程學系 電子研究所
2013利用氧化鋁/氮化矽保護層製作高功率氮化鋁鎵/氮化鎵蕭基二極體黎柏夆; Li, Po-Feng; 張翼; Chang, Yi; 工學院半導體材料與製程設備學程
2013藉由氮化鋁層間鈍化層之插入改善氮化矽氮化鋁鎵/氮化鎵金屬絕緣半導體高電子遷移率電晶體之漏電流及電流潰散效應賴俊霖; Lai, Chung-Ling; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma,Jer-Shen; 照明與能源光電研究所
2014藉共平面波導探討矽基三族氮化物於射頻下傳輸線損耗之研究陳彥宇; Chen, Yen-Yu; 張翼; Chang, Yi; 材料科學與工程學系所
2015利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性黃裕翔; Huang, Yu-Xiang; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma, Jhe-Shen; 光電系統研究所
2015以Silvaco模擬器模擬高功率氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體陽極邊緣效應周冠佑; Chou, Kuan-Yu; 張翼; Chang, Yi; 工學院半導體材料與製程設備學程
2017氮化鎵高功率元件性能增強技術劉世謙; 張翼; Liu, Shih-Chien; Chang, Yi; 材料科學與工程學系所