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2008在二氧化鉿為基底之高介電係數閘極介電層中的載子捕捉與逃逸的電性行為詹效諭; Shiao-Yu Chan; 簡昭欣; Chao-Hsin Chien; 電子研究所
2016利用電漿輔助式分子束磊晶成長氮化矽/氮化鎵薄膜並觀察其特性分析王菁; 周武清; Wang,Jing; Chou, Wu-Ching; 電子物理系所
2008具新穎應力記憶技術之金氧半場效電晶體黃士安; Huang, Shih-An; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2012P型SONOS快閃記憶體元件電荷動態分佈之研究邱勇岳; Chiu, Yung-Yueh; 渡邊浩志; Watanabe, Hiroshi; 電信工程研究所
2013利用氮化鋁/氮化矽作為閘極介電質及鈍化層之低電流崩潰氮化鎵金屬絕緣層半導體高速電子遷移率電晶體戴谷銘; Dai ,Gu-Ming; 張翼; 張俊彥; Chang, Yi; Chang, Chun-Yen; 電子工程學系 電子研究所
2002使用電子迴旋共振電漿處理技術於表面蝕刻之特性研究及開發氮化鎵的閘極介電與鈍化絕緣薄膜之應用鄭兆禛; Chao-Chen Cheng; 張國明; Kow-Ming Chang; 電子研究所
2012發展下一世代環保微影光罩結構材料吳政三; Wu, Cheng-San; 柯富祥; Ko, Fu-Hsiang; 工學院半導體材料與製程設備學程
2-Dec-2002Electrical properties of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor using sol-gel derived SrBi2Ta2O9 film and ultra-thin Si3N4 buffer layerHuang, CH; Tseng, TY; Chien, CH; Yang, MJ; Leu, CC; Chang, TC; Liu, PT; Huang, TY; 電子工程學系及電子研究所; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2004氮化矽快閃記憶體可靠性量測與分析馬煥淇; Ma, Huan-chi; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2006電漿氣相輔助沉積氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之電流增強方法與可靠度之研究詹凱翔; 林鴻志; 黃調元; 電子研究所