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2007雙閘極奈米線非揮發性記憶元件之研製與分析江忠祐; Chung-Yu Chiang; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2016無接面和反轉式環繞閘極多晶矽薄膜電晶體記憶體元件之比較研究張遠豪; 許鉦宗; 潘扶民; Chang, Yuan-Hao; Sheu, Jeng-Tzong; Pan, Fu-Ming; 材料科學與工程學系奈米科技碩博士班
2010具粗糙穿隧氧化層及阻障氧化層SONOS記憶體之研究楊才民; Yang, Tsai-Min; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2017晶粒結構對於平面與垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體寫入速度的影響常瑋軒; 崔秉鉞; Chang, Wei-Hsuan; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
2015不同介電質的平面式及閘極環繞式氮化矽快閃記憶體之寫入/抹除/保存模擬蔡德宏; Tsai, Te-Hung; 汪大暉; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所
2010隱藏式選擇性閘極結構之薄膜電晶體記憶體元件研究薛芳昌; Hsueh, Fang-Chang; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2008新式雙閘極複晶矽奈米線薄膜電晶體與記憶體元件張育嘉; Chang, Yu-Chia; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Taio-Yuan; 電子研究所
2008SONOS memories with embedded silicon nanocrystals in nitride by In-situ deposition methodWu, Yi-Hong; Chiang, Tsung-Yu; Liu, Sheng-Hsien; Yang, Wen-Luh; Chao, Tien-Sheng; Chin, Fun-Tat; 電子物理學系; Department of Electrophysics