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| Issue Date | Title | Author(s) |
|---|---|---|
| 2013 | 藉由氮化鋁層間鈍化層之插入改善氮化矽氮化鋁鎵/氮化鎵金屬絕緣半導體高電子遷移率電晶體之漏電流及電流潰散效應 | 賴俊霖; Lai, Chung-Ling; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma,Jer-Shen; 照明與能源光電研究所 |
| 2013 | 利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 | 宋奕佐; Song, Yi Zuo; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer Shen; 照明與能源光電研究所 |
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Subject
- 2 AlN
- 2 GaN
- 2 氮化鋁
- 2 氮化鎵
- 1 Al2O3
- 1 AlGaN/GaN
- 1 Breakdown voltage
- 1 Current Slump
- 1 Enhancement-mode
- 1 HEMT
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Date issued
- 2 2013