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2000離子電荷對扭轉線狀液晶盒時變電容特性之影響賴梓傑; Tzu-Chieh Lai; 王淑霞; Shu-Hsia Chen; 光電工程學系
1988以Sio /Si N /SiO 為電介質的雙複晶矽電容的電性研究林志光; Lin, Zhi-Guang; 張俊彥; Zhang, Zun-Yan; 電子研究所
2007可寫入抹除高介電常數氮氧化鉿金屬-絕緣層-矽 電容林俊賢; Chun-Hsien Lin; 荊鳳德; Albert Chin; 電機學院微電子奈米科技產業專班
2016閘極低介面缺陷的高介電係數堆疊以及鈀鍺合金對鍺元件之研究石安石; 簡昭欣; 林炯源; Shih, An-Shih; Chien, Chao-Hsin; Lin, Chiung-Yuan; 電子研究所
2017在介面改質與不同製程條件下,HTO鍺鐵電電容的特性探討范景淳; 荊鳳德; Fan, Ching-Chun; Chin, Feng-Der; 電子研究所
1984光化學氣相沈積法製備的銻化銦MOS 結構之估量羅俊傑; LUO, JUN-JIE; 黃凱風; 謝正雄; 楊聲震; HUANG, KAI-FENG; XIE, ZHENG-XIONG; YANG, SHANG-ZHEN; 光電工程學系
2000隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發林鵬; LIN PANG; 交通大學材料科學與工程系
1988金氧半電晶體閘極電容的測量以及模式的建立史美浩; SHI, MEI-HAO; 張俊彥; ZHANG, JUN-YAN; 電子研究所
1988矽化鎢在砷化鋁鎵蕭特基接觸之研究葉仰森; YE, YANG-SEN; 陳茂傑; 雷添福; CHEN, MAO-JIE; LEI, TIAN-FU; 電子研究所
1988高頻互補式金氧半電容切換式濾波器之新設計技術呂平幸; LU, PING-XIN; 吳重雨; 蔡明介; WU, CHONG-YU; CAI, MING-JIE; 電子研究所