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2002超薄先進閘極介電層之成長與特性研究:氮氧化矽與氧化鋯及其矽酸鹽陳宏瑋; Hung-Wei Chen; 黃調元; 趙天生; Tiao-yuan Huang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2012前表面場與氧化鋁鈍化對於交指背接 觸電極矽晶太陽能電池之研究解偉斌; Hseih, Wei-Ping; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2002製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 交通大學電子物理系
2016應用於三維積體電路與系統面板之新穎奈米電子元件開發趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2008內嵌矽奈米點之SONOS記憶體元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2009內嵌矽奈米點之SONOS記憶體元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2014應用於三維積體電路與系統面板之新穎奈米電子元件開發趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2011氮化矽的氫與其應力對電晶體之影響廖家駿; Liao, Chia-Chun; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2003利用區域性應力通道提高電子遷移率之n型金氧半場效電晶體呂宗宜; Tsung-Yi Lu; 趙天生; 電子物理系所
2015應用於三維積體電路與系統面板之新穎奈米電子元件開發趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)