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2010具有低電壓之金屬-氧化層-氮化層-氧化層-矽結構非揮發性記憶體之製程技術應用與研究李宗翰; Lee, Tsung-Han; 荊鳳德; Chin, Albert; 電子研究所
2012互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2011高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2010高效能薄膜電晶體和以薄膜電晶體為基底之非揮發性記憶體元件荊鳳德; CHIN ALBERT; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
1999次〝兆分之一秒〞響應之研究荊鳳德; CHIN ALBERT; 交通大學電子工程系
1999BESOI的新製程荊鳳德; CHIN ALBERT; 交通大學電子工程系
2016對於不同溫度條件下的HfZrO與HfAlO鐵電記憶體電容之特性探討林金翰; 荊鳳德; Lin, Jin-Han; Chin, Albert; 電子工程學系 電子研究所
2016不同退火條件下對於p-type SnO 與 n-type SnO2 薄膜電晶體之特性探討邊廷宇; 荊鳳德; Pien, Ting Yu; Chin, feng-de; 電子工程學系 電子研究所
2016氧化矽與氧化鈦複合材料的電阻式記憶體電性切換特性探討蘇雪柔; 荊鳳德; Amanda, Sharon DSouza; Chin, Albert; 電機資訊國際學程
2010非對稱輕摻雜汲極金氧化半導體電晶體微波電性分析張慈; Chang, Tsu; 荊鳳德; Chin, Albert; 電子研究所