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2001以N自由基成長氮化矽閘極製程童樹進; Tung Su-Ching; 羅正忠; 林進燈; Lou Jen-chung; Lin Chin-Teng; 電機學院電機與控制學程
2002超薄氮化矽氧化層金氧半場效電晶體特性之研究唐宇駿; Yu Chun Tang; 張俊彥; Chun Yen Chang; 電子研究所
2011氮化矽的氫與其應力對電晶體之影響廖家駿; Liao, Chia-Chun; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2007利用RTS 方法研究SONOS 快閃記憶體寫入/抹除電荷之橫向分佈特性趙元鵬; Yuan-Peng Chao; 汪大暉; Tahui Wang; 電子研究所
2016利用電漿輔助式分子束磊晶成長氮化矽/氮化鎵薄膜並觀察其特性分析王菁; 周武清; Wang,Jing; Chou, Wu-Ching; 電子物理系所
2016利用碲為源層及增強阻障特性於氮化矽金屬導電橋接電阻式記憶體之可靠度優化研究戴光駿; 曾俊元; Dai, Guang-Jyun; Tseng, Tseung-Yuen; 電子工程學系 電子研究所
2015藉低壓化學氣相沉積成長氮化矽鈍化層改善氮化鎵高電子遷移率電晶體直流與高頻特性之研究高仲均; 張翼; Kao, Chung-Chun; Chang, Edward-Yi; 材料科學與工程學系所
2011鍺擴散於氮化矽快閃記憶體之研究張廷瑜; Chang, Ting-Yu; 荊鳳德; Chin, Feng-Te; 電子研究所
1998化學氣相沉積介電薄膜特性對CMP技術與記憶體元件應用之影響研究林啟發; Chi-fa Lin; 馮 明憲; 曾 偉 志; Ming-Shiann Feng; Wei Tsi Tseng; 材料科學與工程學系
2008具新穎應力記憶技術之金氧半場效電晶體黃士安; Huang, Shih-An; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所