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| Issue Date | Title | Author(s) |
|---|---|---|
| 1999 | 以低壓有機金屬氣相磊晶法成長氮砷化鎵磊晶層 | 張良肇; Liang-Chao Chang; 李威儀; Wei-I Lee; 電子物理系所 |
| 1999 | 以有機金屬氣相沈積法側向磊晶成長氮化鎵晶體之特性研究 | 莊士賢; Shih-Hsien Chuang; 李威儀; Wei-I Lee; 電子物理系所 |
| 1999 | 氮化鎵鈹鎂離子佈植之研究 | 黃炳祥; Pean-Syoung Huang; 李威儀; Wei-I Lee; 電子物理系所 |
| 1-Mar-2012 | 一種於氮化物半導體進行蝕刻的方法 | 李威儀; 黃信雄; 曾虹諭 |
| 2015 | 使用次世代基板製作高效率LED之研究 | 蔡明達; Tsai,Ming Ta; 李威儀; Lee , Wei-I; 電子物理系所 |
| 2015 | 利用氫化物氣相磊晶法在物理氣相沉積氮化鋁的緩衝層上成長氮化鎵厚膜之研究 | 孫晟淵; Sun, Chen-Yuan; 李威儀; Lee, Wei-I; 電子物理系所 |
| 2008 | 非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究 | 李威儀; LEE WEI-I; 國立交通大學電子物理學系(所) |
| 2009 | 非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究 | 李威儀; LEE WEI-I; 國立交通大學電子物理學系(所) |
| 2009 | 以單晶氮化鎵基板上同質磊晶成長氮化鋁銦鎵系列發光元件之研究 | 李威儀; LEE WEI-I; 國立交通大學電子物理學系(所) |
| 2008 | 以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板( II ) | 李威儀; LEE WEI-I; 國立交通大學電子物理學系(所) |
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Date issued
- 38 2010 - 2017
- 47 2000 - 2009
- 45 1992 - 1999