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2016以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體的閘極介電層之研究林佳慶; 張翼; 材料科學與工程學系所
2016高電流與低動態電阻RON增強型氮化鎵MIS-HEMT亞吉安; 張翼; ARGHYADEEP SARKAR; Edward Yi Chang; 材料科學與工程學系所
2013砷化銦通道之高電子遷移率空乏型與增強型之高頻與邏輯數位之元件特性研究李宗運; 張翼; 張俊彥; CHANG,EDWARD YI; CHANG, CHUN-YEN; 電子工程學系 電子研究所
2013利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體宋奕佐; Song, Yi Zuo; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Maa, Jer Shen; 照明與能源光電研究所
2017利用低損傷中性粒子束蝕刻的方式製作出高起始電壓低磁滯的掘入式閘極增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率高功率電晶體李瑞博; 張翼; 馬哲申; Lee, Ruey-Bor; Chang, Edward-Yi; Maa, Jer-Shen; 光電系統研究所
2015增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究翁可力; Weng, Ke-Li; 張翼; 馬哲申; Chang, Edward Yi; Maa, Jer-Shen; 照明與能源光電研究所
2015利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性黃裕翔; Huang, Yu-Xiang; 張翼; 馬哲申; Chang, Yi; Ma, Jhe-Shen; 光電系統研究所
2010高頻高功率應用之氮化鎵系列半導體張家達; Chang, Chia-Ta; 張翼; Chang, Edward Yi; 材料科學與工程學系
2007增強型磷化銦鎵/砷化鋁鎵/砷化銦鎵假晶高電子遷移率電晶體之研究褚立新; LI HSIN CHU; 張翼; Edward Yi Chang; 材料科學與工程學系