Browsing by Author Lin, Y. C.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 81  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
21-Sep-2013An apparatus for studying spallation neutrons in the Aberdeen Tunnel laboratoryBlyth, S. C.; Chan, Y. L.; Chen, X. C.; Ch, M. C.; Hahn, R. L.; Ho, T. H.; Hsiung, Y. B.; Hug, B. Z.; Kwan, K. K.; Kwok, M. W.; Kwok, T.; Lau, Y. P.; Lee, K. P.; Leung, J. K. C.; Leung, K. Y.; Lin, G. L.; Lin, Y. C.; Luk, K. B.; Luk, W. H.; Ngai, H. Y.; Ngan, S. Y.; Pun, C. S. J.; Shih, K.; Tam, Y. H.; Tsang, R. H. M.; Wang, C. H.; Wong, C. M.; Wong, H. L.; Wong, H. H. C.; Wong, K. K.; Yeh, M.; 物理研究所; Institute of Physics
10-May-2010Biexciton emission from sol-gel ZnMgO nanopowdersChia, C. H.; Lai, Y. J.; Hsu, W. L.; Han, T. C.; Chiou, J. W.; Hu, Y. M.; Lin, Y. C.; Fan, W. C.; Chou, W. C.; 電子物理學系; Department of Electrophysics
26-Jul-2010Carrier dynamics in isoelectronic ZnSe(1-x)O(x) semiconductorsLin, Y. C.; Chung, H. L.; Chou, W. C.; Chen, W. K.; Chang, W. H.; Chen, C. Y.; Chyi, J. I.; 電子物理學系; Department of Electrophysics
26-Jul-2010Carrier dynamics in isoelectronic ZnSe1-xOx semiconductorsLin, Y. C.; Chung, H. L.; Chou, W. C.; Chen, W. K.; Chang, W. H.; Chen, C. Y.; Chyi, J. I.; 電子物理學系; Department of Electrophysics
1-Jan-2016Carrier dynamics in ZnxCd1-xO films grown by molecular beam epitaxyCheng, F. J.; Lee, Y. C.; Hu, S. Y.; Lin, Y. C.; Tiong, K. K.; Chou, W. C.; 電子物理學系; Department of Electrophysics
2013center dot-ray induced effects in Sm-doped strontium borate glassesMarinova, V.; Tomov, V.; Chuang, C. I.; Lin, Y. C.; Lin, S. H.; Chao, Y. F.; Chou, W. C.; Gospodinov, M.; Hsu, K. Y.; 交大名義發表; 電子物理學系; 光電工程學系; National Chiao Tung University; Department of Electrophysics; Department of Photonics
15-Nov-2010Controlled large strain of Ni silicide/Si/Ni silicide nanowire heterostructures and their electron transport propertiesWu, W. W.; Lu, K. C.; Chen, K. N.; Yeh, P. H.; Wang, C. W.; Lin, Y. C.; Huang, Yu; 材料科學與工程學系; 電子工程學系及電子研究所; Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-Jun-2011Controlling number of lasing modes for designing short-cavity self-mode-locked Nd-doped vanadate lasersChen, Y. F.; Huang, Y. J.; Chiang, P. Y.; Lin, Y. C.; Liang, H. C.; 電子物理學系; Department of Electrophysics
1-Mar-2016The detector system of the Daya Bay reactor neutrino experimentAn, F. P.; Bai, J. Z.; Balantekin, A. B.; Band, H. R.; Beavis, D.; Beriguete, W.; Bishai, M.; Blyth, S.; Brown, R. L.; Butorov, I.; Cao, D.; Cao, G. F.; Cao, J.; Carr, R.; Cen, W. R.; Chan, W. T.; Chan, Y. L.; Chang, J. F.; Chang, L. C.; Chang, Y.; Chasman, C.; Chen, H. Y.; Chen, H. S.; Chen, M. J.; Chen, Q. Y.; Chen, S. J.; Chen, S. M.; Chen, X. C.; Chen, X. H.; Chen, X. S.; Chen, Y. X.; Chen, Y.; Cheng, J. H.; Cheng, J.; Cheng, Y. P.; Cherwinka, J. J.; Chidzik, S.; Chow, K.; Chu, M. C.; Cummings, J. P.; de Arcos, J.; Deng, Z. Y.; Ding, X. F.; Ding, Y. Y.; Diwan, M. V.; Dong, L.; Dove, J.; Draegert, E.; Du, X. F.; Dwyer, D. A.; Edwards, W. R.; Ely, S. R.; Fang, S. D.; Fu, J. Y.; Fu, Z. W.; Ge, L. Q.; Ghazikhanian, V.; Gill, R.; Goett, J.; Gonchar, M.; Gong, G. H.; Gong, H.; Gornushkin, Y. A.; Grassi, M.; Greenler, L. S.; Guy, W. Q.; Guan, M. Y.; Guo, R. P.; Guo, X. H.; Hackenburg, R. W.; Hahn, R. L.; Han, R.; Hans, S.; He, M.; He, Q.; He, W. S.; Heeger, K. M.; Heng, Y. K.; Higuera, A.; Hinrichs, P.; Ho, T. H.; Hoff, M.; Hor, Y. K.; Hsiung, Y. B.; Hu, B. Z.; Hu, L. M.; Hu, L. J.; Hu, T.; Hu, W.; Huang, E. C.; Huang, H. Z.; Huang, H. X.; Huang, P. W.; Huang, X.; Huang, X. T.; Huber, P.; Hussain, G.; Isvan, Z.; Jaffe, D. E.; Jaffke, P.; Jen, K. L.; Jetter, S.; Ji, X. P.; Ji, X. L.; Jiang, H. J.; Jiang, W. Q.; Jiao, J. B.; Johnson, R. A.; Joseph, J.; Kang, L.; Kettell, S. H.; Kohn, S.; Kramer, M.; Kwan, K. K.; Kwok, M. W.; Kwok, T.; Lai, C. Y.; Lai, W. C.; Lai, W. H.; Langford, T. J.; Lau, K.; Lebanowski, L.; Lee, J.; Lee, M. K. P.; Lei, R. T.; Leitner, R.; Leung, J. K. C.; Lewis, C. A.; Li, B.; Li, C.; Li, D. J.; Li, F.; Li, G. S.; Li, J.; Li, N. Y.; Li, Q. J.; Li, S. F.; Li, S. C.; Li, W. D.; Li, X. B.; Li, X. N.; Li, X. Q.; Li, Y.; Li, Y. F.; Li, Z. B.; Liang, H.; Liang, J.; Lin, C. J.; Lin, G. L.; Lin, P. Y.; Lin, S. X.; Lin, S. K.; Lin, Y. C.; Ling, J. J.; Link, J. M.; Littenberg, L.; Littlejohn, B. R.; Liu, B. J.; Liu, C.; Liu, D. W.; Liu, H.; Liu, J. L.; Liu, J. C.; Liu, S.; Liu, S. S.; Liu, X.; Liu, Y. B.; Lu, C.; Lu, H. Q.; Lu, J. S.; Luk, A.; Luk, K. B.; Luo, T.; Luo, X. L.; Ma, L. H.; Ma, Q. M.; Ma, X. Y.; Ma, X. B.; Ma, Y. Q.; Mayes, B.; McDonald, K. T.; McFarlane, M. C.; McKeown, R. D.; Meng, Y.; Mitchell, I.; Mohapatra, D.; Kebwaro, J. Monari; Morgan, J. E.; Nakajima, Y.; Napolitano, J.; Naumov, D.; Naumova, E.; Newsom, C.; Ngai, H. Y.; Ngai, W. K.; Nie, Y. B.; Ning, Z.; Ochoa-Ricoux, J. P.; Olshevskiy, A.; Pagac, A.; Pan, H-R; Patton, S.; Pearson, C.; Pec, V.; Peng, J. C.; Piilonen, L. E.; Pinsky, L.; Pun, C. S. J.; Qi, F. Z.; Qi, M.; Qian, X.; Raper, N.; Ren, B.; Ren, J.; Rosero, R.; Roskovec, B.; Ruan, X. C.; Sands, W. R., III; Seilhan, B.; Shao, B. B.; Shih, K.; Song, W. Y.; Steiner, H.; Stoler, P.; Stuart, M.; Sun, G. X.; Sun, J. L.; Tagg, N.; Tam, Y. H.; Tanaka, H. K.; Tang, W.; Tang, X.; Taychenachev, D.; Themann, H.; Torun, Y.; Trentalange, S.; Tsai, O.; Tsang, K. V.; Tsang, R. H. M.; Tull, C. E.; Tung, Y. C.; Viaux, N.; Viren, B.; Virostek, S.; Vorobel, V.; Wang, C. H.; Wang, L. S.; Wang, L. Y.; Wang, L. Z.; Wang, M.; Wang, N. Y.; Wang, R. G.; Wang, T.; Wang, W.; Wang, W. W.; Wang, X. T.; Wang, X.; Wang, Y. F.; Wang, Z.; Wang, Z.; Wang, Z. M.; Webber, D. M.; Wei, H. Y.; Wei, Y. D.; Wen, L. J.; Wenman, D. L.; Whisnant, K.; White, C. G.; Whitehead, L.; Whitten, C. A., Jr.; Wilhelmi, J.; Wise, T.; Wong, H. C.; Wong, H. L. H.; Wong, J.; Wong, S. C. F.; Worcester, E.; Wu, F. F.; Wu, Q.; Xia, D. M.; Xia, J. K.; Xiang, S. T.; Xiao, Q.; Xing, Z. Z.; Xu, G.; Xu, J. Y.; Xu, J. L.; Xu, J.; Xu, W.; Xu, Y.; Xue, T.; Yan, J.; Yang, C. G.; Yang, L.; Yang, M. S.; Yang, M. T.; Ye, M.; Yeh, M.; Yeh, Y. S.; Yip, K.; Young, B. L.; Yu, G. Y.; Yu, Z. Y.; Zeng, S.; Zhan, L.; Zhang, C.; Zhang, F. H.; Zhang, H. H.; Zhang, J. W.; Zhang, K.; Zhang, Qx.; Zhang, Q. M.; Zhang, S. H.; Zhang, X. T.; Zhang, Y. C.; Zhang, Y. H.; Zhang, Y. M.; Zhang, Y. X.; Zhang, Y. M.; Zhang, Z. J.; Zhang, Z. Y.; Zhang, Z. P.; Zhao, J.; Zhao, Q. W.; Zhao, Y. F.; Zhao, Y. B.; Zheng, L.; Zhong, W. L.; Zhou, L.; Zhou, N.; Zhou, Z. Y.; Zhuang, H. L.; Zimmerman, S.; Zou, J. H.; 物理研究所; Institute of Physics
1-Oct-2006Device linearity comparison of uniformly doped and delta-doped In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As metamorphic HEMTs (vol 27, pg 535, 2006)Lin, Y. C.; Chang, Edward Yi; Yamaguchi, H.; Hirayama, Y.; Chang, X. Y.; Chang, C. Y.; 材料科學與工程學系; 電子工程學系及電子研究所; 友訊交大聯合研發中心; Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics; D Link NCTU Joint Res Ctr
28-Sep-2009Effect of donor-acceptor concentration ratios on nonradiative energy transfer in closely packed CdTe quantum dotsLin, Y. C.; Wang, W. J.; Chung, H. L.; Chou, W. C.; Chen, W. K.; Chang, W. H.; Susha, A. S.; Rogach, A. L.; 電子物理學系; Department of Electrophysics
2009Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS StructureFunamiz, K.; Lin, Y. C.; Kakushima, K.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Sugii, N.; Chang, E. Y.; Hattori, T.; Iwai, H.; 交大名義發表; National Chiao Tung University
1-Jun-2011Electrical Characterization of Al(2)O(3)/n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors With Various Surface TreatmentsTrinh, H. D.; Brammertz, G.; Chang, E. Y.; Kuo, C. I.; Lu, C. Y.; Lin, Y. C.; Nguyen, H. Q.; Wong, Y. Y.; Tran, B. T.; Kakushima, K.; Iwai, H.; 材料科學與工程學系; 電子工程學系及電子研究所; Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
1-Jun-2011Electrical Characterization of Al2O3/n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors With Various Surface TreatmentsTrinh, H. D.; Brammertz, G.; Chang, E. Y.; Kuo, C. I.; Lu, C. Y.; Lin, Y. C.; Nguyen, H. Q.; Wong, Y. Y.; Tran, B. T.; Kakushima, K.; Iwai, H.; 材料科學與工程學系; 電子工程學系及電子研究所; Department of Materials Science and Engineering; Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics
2016Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs with HfLaOx Gate InsulatorLin, Y. C.; Lin, J. C.; Lin, Y.; Wu, C. H.; Huang, Y. X.; Liu, S. C.; Hsu, H. T.; Hsieh, T. E.; Kakushima, K.; Iwai, H.; Chang, E. Y.; 材料科學與工程學系; 國際半導體學院; Department of Materials Science and Engineering; International College of Semiconductor Technology
2016Evaluation of GaN HEMT with Field Plate for Reliability ImprovementLin, Y. C.; Lin, J. C.; Lin, Y.; Wu, C. H.; Chin, P. C.; Hsu, H. T.; Hsieh, T. E.; Iwai, H.; Chang, E. Y.; 材料科學與工程學系; 國際半導體學院; Department of Materials Science and Engineering; International College of Semiconductor Technology
1-Oct-2012Evaluation of the characteristics of the microelectrical discharge machining process using response surface methodology based on the central composite designLin, Y. C.; Tsao, C. C.; Hsu, C. Y.; Hung, S. K.; Wen, D. C.; 交大名義發表; National Chiao Tung University
1-Jul-2015Extreme Hyperlactatemia After Heart Transplantation: One Center's ExperienceHsu, Y. C.; Hsu, C. H.; Huang, G. S.; Lu, C. C.; Wu, Z. F.; Tsai, Y. T.; Lin, C. Y.; Lin, Y. C.; Tsai, C. S.; Lin, T. C.; 生物科技學系; Department of Biological Science and Technology
1-Jan-2018First Experimental Demonstration of Negative Capacitance InGaAs MOSFETs With Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Gate StackLuc, Q. H.; Fan-Chiang, C. C.; Huynh, S. H.; Huang, P.; Do, H. B.; Ha, M. T. H.; Jin, Y. D.; Nguyen, T. A.; Zhang, K. Y.; Wang, H. C.; Lin, Y. K.; Lin, Y. C.; Hu, C.; Iwai, H.; Chang, E. Y.; 交大名義發表; National Chiao Tung University
1-Jul-2012Formation and recurrence of quasicrystalline patterns from quantum dynamics of suddenly released matter waves: Analogous manifestation of optical wavesLiang, H. C.; Tung, J. C.; Wu, T. W.; Tsou, C. H.; Lin, Y. C.; Chen, Y. F.; 電子物理學系; Department of Electrophysics