瀏覽 的方式: 作者 趙天生

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2005n型通道與p型通道完全鎳自我對準矽化源/汲與閘極複晶矽薄膜電晶體之研究黃彥學; Yan-Syue Huang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004Study on the reliability of pMOSFETs with different nitrogen and fluorine implantation dosages于慶潭; Ging-Tan Yu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004一種具有奈米線通道的新穎多晶矽薄膜電晶體製作與特性之研究林賢達; 趙天生; 電子物理系所
2002一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 交通大學電子物理系
2006不同高介電常數與傳統低溫介電層應用於低溫複晶矽薄膜電晶體之比較呂宜憲; Yi-Hsien Lu; 趙天生; 簡昭欣; Dr. Tien-Sheng Chao; Dr. Chao-Hsin Chien; 電子物理系所
2011以雙閘極多晶矽薄膜電晶體作為酸鹼感測器之研究唐明慈; Tang, Ming-Tsyr; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2015低功率低溫多晶矽電晶體之研究陳昱璇; 趙天生; Chen, Yi-Hsuan; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2011低溫微波退火應用之研究呂侑倫; Lu, Yu-Lun; 趙天生; 李耀仁; Chao, Tien-Sheng; Lee, Yao-Jen; 電子物理系所
2016側壁鑲嵌三閘極多晶矽鰭式電晶體應變效應之研究王泓翔; 趙天生; Wang, Hung-Hsiang; Chao, Tien-Sheng; 理學院應用科技學程
2000先進深次微米金氧半場效電晶體基極與閘極工程之研究張勝傑; Sun-Jay Chang; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen chang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2007先進金氧半場效電晶體閘極工程對改善元件特性及可靠度之研究羅文政; Wen-Cheng Lo; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen Chang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2008內嵌矽奈米點之SONOS記憶體元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2009內嵌矽奈米點之SONOS記憶體元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2010內嵌矽奈米點之SONOS記憶體元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2009具不同應力及高介電層金氧半場效電晶體之可靠度研究李時璟; Lee, Shih-Ching; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2012具不同通道結構薄膜電晶體 SONOS記憶體之研究楊卓俐; Yang, Juo-Li; 趙天生; Chao, Tien-Shang; 電子物理系所
2007具分離控制閘之隱藏式選擇性SONOS NAND記憶體元件之研究王冠迪; Kuan-Ti Wang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2013具抬升式多晶矽奈米線穿隧式薄膜電晶體之研究方柏崴; Fong, Po-Wei; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2016具新應力記憶技術之金氧半場效電晶體TCAD模擬綜合研究李沛諺; 趙天生; Li, Pei-Yan; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2008具新穎應力記憶技術之金氧半場效電晶體黃士安; Huang, Shih-An; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所