瀏覽 的方式: 作者 莊紹勳

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201714奈米鰭式電晶體自熱效應的新穎溫度量測方法 及其對傳輸機制之影響江孟儒; 莊紹勳; Jiang, Meng-Ru; Chung, Steve S.; 電子研究所
2012CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討蔡政達; Tsai, Cheng-Ta; 莊紹勳; Chung, Steve S.; 電子研究所
1995EPROM記憶元件中熱電子效應的可靠性研究莊紹勳; Chung Steve S; 國立交通大學電子工程研究所
1987LDD 金氧半電晶體本質電容模式邱垂青; GIU, CHUI-GING; 莊紹勳; ZHUANG, SHAO-XUN; 電子研究所
1991LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1998N與P通道快閃記憶體性能與可靠性之比較研究廖勝泰; Shen-Tai Liaw; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
1999P通道快閃式記憶元件在長時間寫入抹除後由熱載子導致的可靠性問題研究莊紹勳; Chung Steve S; 交通大學電子工程系
1996P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2013U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討王漢樽; Wang, Han-Tsun; 莊紹勳; Chung, Steve S.; 電子工程學系 電子研究所
1993VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2007一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討謝易叡; E Ray Hsieh; 莊紹勳; Steve S. Chung; 電子研究所
2017一種新穎的鰭式電晶體可程式神經陣列 在人工神經網路的應用陳泓文; 莊紹勳; Chen, Hung-Wen; Chung, Steve S.; 電子研究所
1999一種用於低功率及高效率快閃式記憶體之新型寫入方式莊子慶; Tze-Chihng Chuang; 莊紹勳; S. S. Chung; 電子研究所
2014三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型洪健珉; Hung,Chien-Ming; 莊紹勳; Chung,Steve S.; 電子工程學系 電子研究所
1989三維雜散電容模擬器及其在唯讀記憶體設計上的應用黃俊達; HUANG,JUN-DA; 莊紹勳; ZHUANG,SHAO-XUN; 電子研究所
2016三維電晶體由製程與長時間操作導致電特性變異 之多面向探討謝易叡; 莊紹勳; Hsieh, E-Ray; Chung, Steve; 電子工程學系 電子研究所
2009下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討莊紹勳; Chung Steve S; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2010下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討莊紹勳; Chung Steve S; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2011下一世代高性能及高可靠性的N通道MOS元件設計及量測技術探討莊紹勳; Chung Steve S; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2000不同型摻雜材料浮動閘極快閃式記憶元件可靠性問題之研究莊紹勳; Chung Steve S; 國立交通大學電子工程學系