瀏覽 的方式: 作者 崔秉鉞

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20174H型碳化矽溝槽式閘極金氧半場效功率電晶體之關鍵製程研究曾元宏; 崔秉鉞; Tseng, Yuan-Hung; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
2015N+-P鍺淺接面暨接觸電阻研究周鴻儒; Chou, Hung-Ju; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue; 電子工程學系 電子研究所
2014三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析崔秉鉞; Tsui Bing-Yue; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2015三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析崔秉鉞; Tsui Bing-Yue; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2013三維堆疊複晶矽非揮發性記憶體元件技術與分析崔秉鉞; Tsui Bing-Yue; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所
2015三維快閃記憶體技術及其特殊現象之研究蕭逸璿; Hsiao, Yi-Hsuan; 崔秉鉞; 呂函庭; Tsui, Bing-Yue; Lue, Hang-Ting; 電子工程學系 電子研究所
2002二氧化鉿薄膜製備與鉿污染研究梁建翔; Jann-Shyang Liang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2006互補式金氧半電晶體之金屬閘極材料與技術研究黃誌鋒; Chih-Feng Huang; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2011交絡奈米碳管網路薄膜電晶體特性之研究陳定業; Chen, Ting-Yeh; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
2011介面處理對鉿氧化物之抗極紫外光輻射損傷之影響研究蘇婷婷; Su, Ting-Ting; 黃遠東; 崔秉鉞; 許博淵; Huang, Yang-Tung; Tsui, Bing-Yue; Shew, Bor-Yuan; 加速器光源科技與應用碩士學位學程
2006以二氧化鉿為基底之高介電常數閘極介電層中的電荷捕捉與逃逸之電特性分析吳偉豪; Wei-Hao Wu; 陳茂傑; 崔秉鉞; Mao-Chieh Chen; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2017以二氧化鋯作為閘極介電層之鍺金屬-氧化層-半導體電容器與N型金屬-氧化層-半導體電晶體之閘極工程研究詹詠翔; 崔秉鉞; Chan, Yung-Hsiang; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
2010以奈米壓印技術製作大面積次微米孔洞陣列周智超; Chou, Chih-Chao; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
2003以掃描探針測量矽半導體載子濃度蘇柏智; Po-Chih Su; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2017以氧化鋁鈦和氮氧化鋁鈦作為電荷捕捉層於非揮發性記憶體之應用許書寧; 崔秉鉞; Hsu, Shu-Ning; 電子研究所
2013以深層暫態能譜分析碳化矽缺陷之研究暨溝槽式接面蕭基位障二極體之設計分析連崇德; Lien, Chong-De; 崔秉鉞; Tsui, Bing-Yue; 電子工程學系 電子研究所
2016以離子植入技術改善鍺超淺接面與超低接觸阻抗( III )崔秉鉞; 林炯源; 國立交通大學電子工程學系及電子研究所 
2016以離子植入選擇性增加碳化矽氧化速率暨溝槽式接面位障蕭基二極體之研究林忠佑; 崔秉鉞; Lin, Chung-Yu; Tsui, Bing-Yue; 電子研究所
2007佈局參數對高壓金氧半場效電晶體電性影響之研究柳旭茹; Hsu-Ju Liu; 崔秉鉞; Bing-Yue Tsui; 電子研究所
2004低介電常數材料應用於多層導體連線之電特性分析方國龍; Kuo-Lung Fang; 崔秉鉞; 陳茂傑; Bing-Yue Tsui; Mao-Chieh Chen; 電子研究所