Browsing by Author 林鴻志

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2017具T型閘極與空氣邊襯之新式多晶矽薄膜電晶體楊宗祐; 林鴻志; Yang, Zong-You; Lin, Horng-Chih; 電子研究所
2007具倒T型閘極之多晶矽奈米線通道薄膜電晶體與氮化矽記憶體元件之製作與特性分析徐行徽; Hsing-Hui Hsu; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2002具副閘極之多晶矽薄膜電晶體製作與特性研究俞正明; Cheng-Ming Yu; 雷添福; 林鴻志; Tan-Fu Lei; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2004具場引效汲極的蕭特基能障薄膜電晶體之研製與特性分析葉冠麟; Kuan-Lin Yeh; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2002具奈米級通道寬度之矽化鈷蕭特基障位的複晶矽薄膜電晶體研究林文傑; Wun Jey Lin; 黃調元; 林鴻志; Tiao Yuan Huang; Horng Chih Lin; 電機學院電子與光電學程
2010具懸浮奈米線結構之新穎元件的製作與特性分析許家維; Hsu, Chia-Wei; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2013具懸浮奈米線通道之場效電晶體和多晶矽奈米線互補式金氧半反相器的研製與特性分析郭嘉豪; Kuo, Chia-Hao; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子工程學系 電子研究所
1-May-2010具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法林鴻志; 蘇俊榮; 徐行徽; 李冠樟
21-Dec-2012具懸浮式奈米通道之電晶體結構與其製造方法林鴻志; 蘇俊榮; 徐行徽; 李冠樟
2016具有T型閘極的自我對準氧化鋅薄膜電晶體之製作與特性分析沈君達; 林鴻志; 黃調元; Shen, Jun-Da; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
16-Mar-2009具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法林鴻志; 蘇俊榮; 徐行徽
1-Apr-2011具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法林鴻志; 蘇俊榮; 徐行徽
2005具有奈米線通道的多晶矽薄膜電晶體之特性改善蔡銑泓; Hsien-Hung Tsai; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chin Lin; 電子研究所
2005具有奈米線通道的矽鍺及雙閘極薄膜電晶體特性分析洪振家; Jen-Jia Hung; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2006具有奈米線通道的薄膜電晶體之氮化矽記憶體元件特性分析黃建富; Jian-Fu Huang; 黃調元; 林鴻志; Tiao-Yuan Huang; Horng-Chih Lin; 電子研究所
2006具有形變通道之互補式金氧半電晶體載子穿輸與可靠性分析林鴻志; LIN HORNG-CHIH; 交通大學電子工程系
2010具有昇起式源/汲極之多晶鍺薄膜電晶體的元件製作與特性分析陳冠宇; Chen, Kuan-Yu; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2008具有氮化矽覆蓋之形變通道金氧半場效電晶體特性與相關可靠性問題研究盧景森; Lu, Ching-Sen; 林鴻志; 黃調元; Lin, Horng-Chih; Huang, Tiao-Yuan; 電子研究所
2005具有氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之元件特性與熱載子退化效應謝雨霖; Yu-Lin Hsieh; 林鴻志; 黃調元; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; 電子研究所
2007具有氮化矽覆蓋層之形變N型金氧半場效電晶體之性能及可靠度陳瀅弘; 林鴻志; 黃調元; 電機學院微電子奈米科技產業專班